我们常常看MOS管的PDF参数，MOS管制造商采用RDS(ON) 参数来定义导通阻抗，对开关应用来说，RDS(ON) 也是最重要的器件特性。数据手册定义RDS(ON) 与栅极 (或驱动) 电压 VGS 以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，RDS(ON) 是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管很轻易发烧。另外，慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册划定了热阻抗参数，其定义为元器件MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的最简朴的定义是结到管壳的热阻抗。
1.发烧情况有，电路设计的题目，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发烧的一个原因。假如N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发烧。这是设计电路的最忌讳的错误。
2，频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率进步，MOS管上的损耗增大了，所以发烧也加大了
3，没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发烧严峻，需要足够的辅助散热片。
4，MOS管的选型有误，对功率判定有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大
这是我最近在处理MOS管发烧题目时简朴总结的。实在这些题目也是须生常谈的题目，做开关电源或者MOS管开关驱动这些知识应该是烂熟于心，当然有时还有其他方面的因素，主要就是以上几种原因。